北京市中科院半導體研究所

半導體研究所是1956年按照"12年科學發展遠景規劃"中"四項緊急措施"開始著手籌建的，是集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成應用于一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究所，正式成立于1960年。
建所以來，半導體所在我國半導體科技發展的各個歷史階段都曾做出過突出的貢獻。研制出中國第一只鍺晶體管，硅平面晶體管，固體組件；第一根鍺單晶，硅單晶，砷化鎵單晶；設計制造出第一臺硅單晶爐，區熔爐……。直接為國家經濟建設和發展作出了重要貢獻。
目前，所主要研究領域為：
光電子及其集成技術
體、薄膜、微結構半導體材料科學技術
低維量子體系和量子工程、量子器件的基礎研究
半導體人工神經網絡和特種微電子技術。
在國家和中科院產學研結合的號召和指示下，半導體所利用自身的科技優勢，獨資或合資創辦了包括海特光電，中科鎵銦半導體，華源科半光電子科技等在內的一批有自主知識產權的高科技公司。