進口化學氣相沉積設備-沈陽鵬程真空技術公司

化學氣相沉積的特點
化學氣相沉積法之所以得到發展，是和它本身的特點分不開的，進口化學氣相沉積設備報價，其特點如下。
i) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2) cvd反應在常壓或低真空進行，進口化學氣相沉積設備公司，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
3) 能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、*蝕及*等表面增強膜是很重要的。
4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。
5) 利用調節沉積的參數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。
6) 設備簡單、操作維修方便。
7) 反應溫度太高，一般要850~ 1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住cvd的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。
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化學氣相沉積法簡介
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化學氣相堆積(簡稱cvd)是反響物質在氣態條件下發生化學反響，生成固態物質堆積在加熱的固態基體外表，進而制得固體資料的工藝技術。它本質上歸于原子領域的氣態傳質進程。
化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機資料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研發新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜資料。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過氣相摻雜的淀積進程準確操控?，F在，化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。
icp刻蝕機簡介
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一．系統概況
該系統主要用于常規尺寸樣片（不超過φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻
蝕速率快、重復性好等優點。具體描述如下：
1.系統采用單室方箱式結構，手動上開蓋結構；
2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，進口化學氣相沉積設備多少錢，真空尺寸為400mm×400×197mm，
內腔尺寸ф340mm×160mm；
3.*限真空度：≤6.6x10-4 pa (經烘烤除氣后，采用ff160/600分子泵抽氣)；
系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；
系統從大氣開始抽氣到5.0x10-3 pa，20分鐘可達到（采用分子泵抽氣)；
停泵關機12小時后真空度：≤5 pa；
4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；
5.樣品水冷：由循環水冷水機進行控制；
7.icp頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電*間距50mm；
8. 沉積工作真空：1-20pa；
9. 氣路設有勻氣系統，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；
10. 射頻電源：2臺頻率 13.56mhz，功率600w，全自動匹配；
11. 6路氣體，共計使用6個質量流量控制器控制進氣。
氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/*
12. 刻蝕速率
sio2：≥0.5μm/min
si：≥1μm/min
光刻膠：≥1μm/min
13. 刻蝕不均勻性：
優于±5%（φ4英寸范圍內）
優于±6%（φ6英寸范圍內）
14. 選擇比
cf4的選擇比為50，
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