大樣片離子束刻蝕機-創世威納-大樣片離子束刻蝕機廠家

離子束刻蝕
離子束刻蝕是通過物理濺射功能進行加工的離子銑。國內應用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機通常由屏柵和加速柵組成離子光學系統，其工作臺可以方便地調整傾角，使碲鎘基片法線與離子束的入射方向成θ角，大樣片離子束刻蝕機廠家，并繞自身的法線旋轉
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離子束刻蝕機
加工
離子束刻蝕可達到很高的分辨率，適合刻蝕精細圖形。離子束加工小孔的優點是孔壁光滑，大樣片離子束刻蝕機原理，鄰近區域不產生應力和損傷能加_工出任意形狀的小孔，且孔形狀只取決于掩模的孔形。
加工線寬為納米級的窄槽是超精微加工的需要。如某零件要求在10nm的碳膜上，用電子束蒸鍍10nm的金一鋁(60/40)膜。
首先將樣品置于真空系統中，其表面自然形成---種污染*蝕劑掩模，用電子束*顯影后形成線寬為8nm的圖形，大樣片離子束刻蝕機品牌，然后用ya離子束刻蝕，離子束流密度為0.1ma/cm， 離子能量是1kev;另一種是在20nm厚的金一鈀膜上刻出線寬為8nm的圖形、深寬比提高到2.5:10。 由此可見離子束加工可達到很高的精度。
刻蝕氣體的選擇
對于多晶硅柵電*的刻蝕，腐蝕氣體可用cl2或sf6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用cl2/sf6或sicl4/cl2；刻蝕sio2的腐蝕氣體可用chf3或cf4/h2；刻蝕si3n4的腐蝕氣體可用cf4/o2、sf6/o2或ch2f2/chf3/o2；刻蝕al（或al-si-cu合金）的腐蝕氣體可用cl2、bcl3或sicl4；刻蝕w的腐蝕氣體可用sf6或cf4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料，可選擇氣體種類較多，大樣片離子束刻蝕機，比如cf4、cf4 h2、chf3 等。我們選用chf3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應過程可表示為：chf3 e——chf 2 f (游離基) 2e，sio 2 4f sif4 (氣體) o 2 (氣體)。sio 2 分解出來的氧離子在高壓下與chf 2 基團反應， 生成co ↑、co 2↑、h2o ↑、o f↑等多種揮發性氣體 [3] 。
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