山西功率IGBT模塊品牌企業 奧聯供應

靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大; 表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此igbt的兩個單元沒有明顯的故障. 動態測試: 把萬用表的檔位放在乘10k檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400歐，山西功率igbt模塊品牌企業,把表筆對調也有大約300-400歐的電阻表明此igbt單元是完好的. 用同樣的方法測試1、2端子間的igbt,若符合上述的情況表明該igbt也是完好的。 將萬用表撥在r×10kω擋，用黑表筆接igbt 的漏極(d)，紅表筆接igbt 的源極(s)，此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(g)和漏極(d)，這時igbt 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置，山西功率igbt模塊品牌企業，山西功率igbt模塊品牌企業。然后再用手指同時觸及一下源極(s)和柵極(g)，這時igbt 被阻 斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷igbt 是好的。 注意：若進第二次測量時，應短接一下源極(s)和柵極(g)。 任何指針式萬用表皆可用于檢測igbt
在使用igbt的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則igbt就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10kω左右的電阻。在安裝或更換igbt模塊時，應十分重視igbt模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，比較好在散熱器與igbt模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致igbt模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近igbt模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止igbt模塊工作。1. 一般保存igbt模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕;2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;3. 在溫度發生急劇變化的場所igbt模塊表面可能有結露水的現象，因此igbt模塊應放在溫度變化較小的地方;4. 保管時，須注意不要在igbt模塊上堆放重物;5. 裝igbt模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。6. 檢測igbt模塊的的辦法。
igbt(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由bjt（雙極型三極管）和mos（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；mosfet驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。igbt模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當igbt模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用igbt模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。