代理PW2309芯片 P溝道增強(qiáng)型MOSFET

一般說明
pw2309采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的rds（on），低柵電荷柵極電壓低至4.5v，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
vds=-60v，id=-3a
rds（開）<180mω@vgs=-10v
提供3針sot23-3封裝
應(yīng)用
電池保護(hù)
負(fù)荷開關(guān)
不間斷電源