富士IGBT模塊2MBI100VA-120-50

2mbi100va-120-50
技術參數：
• ic(a),tc=80℃ 100
•vce(sat),max(v) 1.85
•ton(us) -
•toff(us) -
•rth(j-c),k/w -
•pc(w) -
• 封裝 -
• 電路結構 半橋
性能概要：
•高速開關
•電壓驅動
•低電感模塊結構
目標應用：
• 變頻電機驅動
• ac和dc伺服驅動放大器
• 不間斷電源
• 工業機器，如電焊機
2mbi100va-120-50是igbt模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的npt-igbt的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 pt 和 npt 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 igbt3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃，運行溫度可達200℃。低損耗，2mbi100va-120-50 igbt模塊具有低emi噪聲，高可靠性，高運行結溫等優點。主要應用在100kw光伏逆變器，電機驅動，電源等領域。
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