北京賽米萊德-NR74*000PY光刻膠

光刻膠
在*過程中，正性膠通過感光化學(xué)反應(yīng)，切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯(lián)系，達(dá)到削弱聚合體的目的，所以*后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。*后的光刻膠溶解速度幾乎是未*的光刻膠溶解速度的10倍。而負(fù)性膠，在感光反應(yīng)過程中主鏈的隨機(jī)十字鏈接更為緊密，并且從鏈下墜物增長(zhǎng)，所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在*區(qū)間顯影，負(fù)性膠則相反。負(fù)性膠由于*區(qū)間得到保留，漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像，而正性膠相反，nr74*000py光刻膠，為下寬上窄的圖像。
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光刻膠：半導(dǎo)體技術(shù)壁壘較高的材料之一
光刻是整個(gè)集成電路制造過程中耗時(shí)長(zhǎng)、難度大的工藝，耗時(shí)占ic制造50%左右，成本約占ic生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質(zhì)量對(duì)光刻工藝有著重要影響。
光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟作準(zhǔn)備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線*后，光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，在通過顯影后，被*的光刻膠將被去除，從而實(shí)現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程，實(shí)現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護(hù)作用。
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負(fù)性光刻膠原理
又稱光致*蝕劑，是一種由感光樹脂、增感劑（見光譜增料）和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。
原理
光刻膠在接受一定波長(zhǎng)的光或者射線時(shí)，會(huì)相應(yīng)的發(fā)生一種光化學(xué)反應(yīng)或者激勵(lì)作用。光化學(xué)反應(yīng)中的光吸收是在化學(xué)鍵合中起作用的處于原子外層的電子由基態(tài)轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)時(shí)引起的。對(duì)于有機(jī)物，基態(tài)與激勵(lì)態(tài)的能量差為3~6ev，相當(dāng)于該能量差的光(即波長(zhǎng)為0.2~0.4μm的光)被有機(jī)物強(qiáng)烈吸收，nr74*000py光刻膠哪里有，使在化學(xué)鍵合中起作用的電子轉(zhuǎn)入激勵(lì)態(tài)。化學(xué)鍵合在受到這種激勵(lì)時(shí)，或者分離或者改變鍵合對(duì)象，發(fā)生化學(xué)變化。電子束、x射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質(zhì)后，因與物質(zhì)具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉(zhuǎn)移到物質(zhì)的電子中，因此生成激勵(lì)狀態(tài)的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發(fā)光刻膠的化學(xué)反應(yīng)。
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