MOS管-美國萬代AOS產品全系列

pmos是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的mos管。全稱 ： positive channel metal oxide semiconductor；別名 ： positive mos。
基本信息：
pmos是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的mos管全稱 ： positive channel metal oxide semiconductor別名 ： positive mos金屬氧化物半導體場效應(mos)晶體管可分為n溝道與p溝道兩大類， p溝道硅mos場效應晶體管在n型硅襯底上有兩個p+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的n型硅表面呈現p型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種mos場效應晶體管稱為p溝道增強型場效應晶體管。如果n型硅襯底表面不加柵壓就已存在p型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的mos場效應晶體管稱為p溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為pmos晶體管。